技术参数
| 品牌： | ADI |
| 型号： | SSM2212RZ-R7 |
| 封装： | N/A |
| 批号： | 20+ |
| 数量： | 3000 |
| 制造商： | Analog Devices Inc. |
| 产品种类： | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
| RoHS： | 是 |
| 封装 / 箱体： | SOIC-8 |
| 晶体管极性： | NPN |
| 配置： | Dual |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 40 V |
| 集电极—基极电压 VCBO： | 40 V |
| 最大直流电集电极电流： | 0.02 A |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | + 85 C |
| 系列： | SSM2212 |
| 高度： | 1.5 mm |
| 长度： | 5 mm |
| 技术： | Si |
| 宽度： | 4 mm |
| 商标： | Analog Devices |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min： | 300 at 1 mA, 200 at 10 uA |
| 产品类型： | BJTs - Bipolar Transistors |
| 工厂包装数量： | 1000 |
| 子类别： | Transistors |
| 单位重量： | 540 mg |
SSM2212是一种双NPN匹配晶体管对，专门设计用于满足超律噪声无线电系统的要求。SSM2212具有极低的输入基极扩展电阻（rbb’通常为28m1）和高电流增益（hsa通常在Ie=1mA时超过600），因此可以实现出色的信噪比。与使用商用模拟放大器的系统相比，高电流增益带来了优异的性能。电流增益（Aha）与大约0.5%的良好匹配以及低于10pV的低Vos（典型值）使SSM2212成为对称平衡设计的理想选择，可减少高阶放大器谐波失真。
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